[SSD] Interface, Channel, Ce

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固態硬碟電路板基本結構示意圖。以8通道控制器為例，即便配置16顆顆粒，仍無法跳脫傳統通道數量觀念，它就是只有8條通道。



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固態硬碟電路板基本結構進階示意圖。同樣8通道控制器範例，搭配16顆2CE類型顆粒時，姑且不算計Plane的部分，平行處理結構已相似於32通道。


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[SSD] ONFI vs Toggle

SoC主控晶片品牌：

l Seagate LSI（SandForce被LSI收購，又被Avago安華高收購併將LSI出售給Seagate希捷

l Marvell（美滿）

l Indilinx Barefoot（OCZ收購了Indilinx，隨後OCZ又被東芝收購）

l Phison（群聯）

l 三星MEX

l Intel（英特爾

l Silicon Motion（慧榮）

l JMicron（智微）

l SK hynix LAMD（SK hynix收購了主控廠商LAMD）

l TOSHIBA（東芝）

l SANDISK（閃迪被Western Digital西部數據收購）


ONFI
Open NAND Flash Interface Working Group

Toggle

海力士
英特爾
美光科技
恆憶

三星
東芝






由於 TOSHIBA 是全球第二大的 Flash Maker，KDIL
為 Kingston 的子公司，並且是全球最大的 Flash Module House

公司股東為Toshiba及KDIL，持股比例各占15%及10%。
公司於近年轉型為MEMS麥克風IC廠。

KTC, kingston-tennis-club
KDIL, Kingston Digital Internation Ltd.



REF：
https://read01.com/ymR4xg.html
https://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%97%AA%E5%AD%98


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[SSD] Micron B0KB TLC 384Gb

L06B是MLC產品的代號，採用ONFI 4.0標準，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane設計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設計快閃記憶體高1倍的讀寫輸送量，快閃記憶體壽命是5000 P/E。
B0KB則是TLC產品的代號，由於是同一晶片所以許多東西都是L06B一樣，當然容量、性能與壽命什麼的肯定不同，Die Size 48GB，快閃記憶體壽命是1500 P/E，由於是TLC所以需要ECC標準是更高的LDPC。


進一步瞭解到，美光3D NAND分別為L06B和B0KB，其中
L06B容量為256Gb（32GB），MLC架構設計。
B0KB容量為384Gb（48GB），是TLC產品，所以採用了ECC糾錯能力較高的LDPC提高NAND Flash的耐用性，而美光MX300系列SSD正是採用的型號為B0KB的3D TLC NAND。
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美光2016年在新加坡的Fab10實現了32層3D NAND的量產，型號分別是32GB （L06B MLC）和48GB（B0KB TLC），也是除原廠3D SSD之外，市場上品牌3D SSD的主要貨源之一。

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美光Fab工廠分佈和投產情況
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ref：https://kknews.cc/zh-tw/digital/l6e859.html
ref:http://www.chinaflashmarket.com/Producer/micron/News/156816
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[DDR] DRAM, DDR, MT/s, GT/s

 

DRAM 全名 Dynamic Random-Access Memory

SDRAM 全名為同步動態隨機存取記憶體（Synchronous DRAM），SDRAM 的特性是讓 DRAM 內部的工作時脈和主機板同步，以此提高存取的速度。

 

DDR 則是雙倍數據率（Double Data Rate），藉由 DDR 的技術，將一個工作時脈切分成兩份，就像是原本要一分鐘才能完成一份工作，藉由將 1 分鐘分成兩個 30 秒，並在這兩個 30 秒內完成工作，就能在相同的時間內完成兩倍的工作量。大幅提升資料傳輸的速度。

 

 

目前市場上的產品有 DDR3-1600 以及 DDR4-2133 等。其中，DDR3-1600 中的 1600 代表什麼？在記憶體規格中，有一個用來衡量記憶體傳輸速度的單位元，MT/s。MT/s 為 MegaTransfers per Second 的縮寫，意思是在一秒內可傳輸幾次資料。因此 DDR3-1600 便代表該產品具有 1600MT/s 的效能。

 

1 MT/s(megatransfers per second),1秒10的6次.

1 GT/s(gigatransfers per second),1秒10的9次.

 

但是，MT/s 這個單位僅用於記憶體效能中，要將其轉換成常見的 Gbps。Gbps 是用來衡量每秒鐘有多少資料傳輸，像是 4G 行動上網的速度、硬碟傳輸等皆是以此做速度快慢的衡量。1600MT/s 只需乘上 DDR3 的記憶體線寬 64bit，便是 102.4Gbps。要乘上線寬是因為 MT/s 只代表一秒可傳輸幾次資料，一次傳輸的資料量則是由線寬決定。因此，DDR3 後面所接的數字便代表著該記憶體的傳輸效率。

 

資料傳輸速率: Channel width (bits/transfer) × transfers/second = bits transferred/second

 

 

 

Ref:

http://technews.tw/2015/10/10/ram-memory-storage/

 

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